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我正在尝试围绕文件系统进行一些研究，但我可能自己也感到困惑。我必须为带有 SCAN 和 CSCAN 等磁盘的设备提供磁盘调度算法，但我想知道闪存的等价物是什么？

我制作了一个从闪存 Nand 读取数据的代码（没有文件系统）。

它有效，然后我想尝试读写它..所以我将代码更改为：

但它返回-1，意味着无法打开。但对于其他 MTD，它有效。

然后我看到cat /proc/mtd说MTD0是RO，另一个是RW（我认为它是只读和读写）

我试着用MEMUNLOCK

因为它需要fd，需要open所以我O_RDONLY不使用O_RDWR（返回-1）。

但它返回错误Bad file description。一定是因为O_RDONLY,, 不得不使用O_WRONLYor O_RDWR。

有什么办法可以解锁这个 MTD0，或者在不解锁的情况下在上面写字？

我正在使用 Broadcom CFE（通用框架环境）引导加载程序……SOC 来自 Broadcom……并使用串行 NOR 闪存N25Q032作为引导设备。从闪存读取它使用内存映射技术，而写入它使用 SPI 接口（IO 映射）。

在我看来，这种设计背后的原因是：

1. IO 映射读/写是阻塞调用，因此在读取以保持 CPU 空闲时，它是使用内存映射实现的。

2. 它没有实现来检查...闪光。

....请解释这种设计背后的原因....

位于 BCM7358 和 SPI NOR 闪存之间的 SPI 子系统使用 B-SPI 模块执行读取操作，使用 M-SPI 模块执行写入操作....如果我必须从 M-SPI 执行读取操作而不是 B-SPI ...那我该如何进行...欢迎任何建议

智能 SPI 控制器是队列串行外设接口 (QSPI) 是 SPI 控制器的一种。它使用带有可编程队列指针的数据队列，允许在没有 CPU 干预的情况下进行一些数据传输。 [6] 它还具有环绕模式，允许在没有 CPU 干预的情况下连续进出队列。

有人可以建议我一些好的教程/参考代码，这样我就可以更好地理解上述智能 SPI 控制器。

在我的 Compulab cm-x270 CoM Linux 内核上放置在 NOR 中。这个内核没有 MTD 支持，启动后我无法访问 NOR 作为 MTD 分区。我的目标是从用户空间更新这个内核。是的，通过 tftp 从引导加载程序更新最简单的方法，但我不能在这个任务中使用它。是否可以在 /dev/mem 或任何其他方式中映射 NOR？

我正在使用带有 STM32F10x_StdPeriph 库的 STM32F103ZG。我开始使用 Keil ARM-MDK 开发该项目，但现在转移到了 GCC。到目前为止，切换过程非常顺利。我使用FLASH的最后一页作为配置页来存储产品的具体参数。这个页面显然位于 bank 2。在某些情况下，这些配置参数需要在运行时更新，但是现在我已经转移到 GCC，当我尝试写入时，第二个 memory bank 进入忙碌状态然后它一直很忙，直到我重新启动电源。擦除工作正常，但写入失败。我确实解锁了所有 FLASH 并确保所有时钟都已初始化以访问 FLASH。几个论坛上的其他一些帖子表明我的链接器文件存在问题，但我使用的所有示例都没有区别。

如果有人能告诉我我做错了什么，我将不胜感激。

谢谢，

H

我知道 NAND 有 1 位、4 位和 8 位 ECC。虽然芯片组的技术参考手册只提到了 4 位和 8 位纠错功能，但是否可以在同一芯片组上实现 1 位 ECC？

我想真正了解NAND控制器中是否存在纠错功能，或者是否可以使用软件实现？

我正在编写一个 Android 应用程序，它每秒将数据写入文件数次，在该文件被擦除并启动新文件之后，总文件大小约为 1MB。我是否应该担心手机的闪存会磨损，导致它出现故障？您是否知道 Android 是否会将写入分配到不同的扇区以最大程度地减少闪存退化，即使应用程序写入连续文件也是如此？日志系统是否以类似的方式工作？换句话说，如果我记录很多（每秒几条记录），那会影响手机的闪存资源吗？

我想在扇区 2 和 3 中模拟 EEPROM，以保持低擦除时间（小 16kb 扇区）。我的问题是如何保留这个闪存空间以防止编译器将程序代码放置在这些扇区中？

谁能指出我到目前为止没有发现任何有意义的信息？

谢谢