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我正在编写一个 Android 应用程序，它每秒将数据写入文件数次，在该文件被擦除并启动新文件之后，总文件大小约为 1MB。我是否应该担心手机的闪存会磨损，导致它出现故障？您是否知道 Android 是否会将写入分配到不同的扇区以最大程度地减少闪存退化，即使应用程序写入连续文件也是如此？日志系统是否以类似的方式工作？换句话说，如果我记录很多（每秒几条记录），那会影响手机的闪存资源吗？

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担心这一点不会有什么坏处，但除了闪存写入周期之外，我会重新设计应用程序逻辑 - 1MB 并不多，因此在内存中缓冲数据并定期（但不那么频繁）将其刷新到文件中应该会加速你的应用程序（因为我假设您的写入是同步的）。

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Wiki有一些数据供参考：

写耐力

SLC 浮栅 NOR 闪存的写入耐久性通常等于或大于 NAND 闪存，而 MLC NOR 和 NAND 闪存具有相似的耐久性能力。提供了 NAND 和 NOR 闪存数据表中列出的示例耐用周期额定值。

  • SLC NAND 闪存的额定周期通常约为 100k (Samsung OneNAND KFW4G16Q2M)
  • MLC NAND 闪存过去的额定周期约为 5k – 10k 周期（三星 K9G8G08U0M），但现在通常为 1k – 3k 周期
  • TLC NAND 闪存的额定周期通常约为 1k 周期 (Samsung 840)
  • SLC 浮栅 NOR 闪存的典型耐用等级为 100k 到 1M 周期（Numonyx M58BW 100k；Spansion S29CD016J 1,000k） MLC 浮栅 NOR 闪存的典型耐用等级为 100k 周期（Numonyx J3 闪存）
于 2012-10-31T14:04:18.860 回答
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这取决于内存类型和文件系统。与 NOR 存储器相比，NAND 闪存提供更多的写入周期。此外，JFFS2 等文件系统提供了一种磨损均衡算法来分发数据并避免块损坏。

NAND 和 NOR 闪存技术的比较： https ://focus.ti.com/pdfs/omap/diskonchipvsnor.pdf

于 2015-08-24T00:03:00.300 回答