我想在扇区 2 和 3 中模拟 EEPROM,以保持低擦除时间(小 16kb 扇区)。我的问题是如何保留这个闪存空间以防止编译器将程序代码放置在这些扇区中?
谁能指出我到目前为止没有发现任何有意义的信息?
谢谢
我想在扇区 2 和 3 中模拟 EEPROM,以保持低擦除时间(小 16kb 扇区)。我的问题是如何保留这个闪存空间以防止编译器将程序代码放置在这些扇区中?
谁能指出我到目前为止没有发现任何有意义的信息?
谢谢
从应用笔记AN3969中可以看出,正如您所说,最好的方法是使用扇区 0-3,因为它们只有 16kB。
我的问题是如何保留这个闪存空间以防止编译器将程序代码放置在这些扇区中?
在您的链接器文件 (*.ld) 中,声明您的 Flash 的开头位于第 4 扇区的开头,以便链接器将您的代码从该地址开始放置,例如。