问题标签 [non-volatile]

我试图重现 Java 多线程中的非易失性变量行为。test在这里，我在OccurrenceCounter.java类中有非易失性变量。在ThreadDemo.java类中，我有main生成两个线程的方法。在其中不断检查 while循环thread1中非​​易失性变量的值。如果我在MyRunnableThread1.javatest中运行下面的示例，则值不是从 CPU 缓存中获取的。occurrenceCounter.isTest()

OccurrenceCounter.java：

MyRunnableThread1.java：

MyRunnableThread2.java：

线程演示.java：

在 while 循环中的MyRunnableThread1.javaoccurrenceCounter.isTest()中，即使类中的test变量OcuurenceCounter是非易失性的，条件也不会从 CPU 缓存中返回。但是如果我删除第一个 while 循环：

然后我可以看到条件occurrenceCounter.isTest()总是错误的，即使它是更新的thread2并且thread1永远不会终止。那么为什么这个while循环：

影响非易失性变量的行为？这是第一个while循环强制从内存而不是从CPU缓存中读取值thread1吗？我试图得到这个答案很多。但我做不到。

请任何人帮助我解决这个问题。

下面的代码示例来自一个中文博客，介绍了volatile. 左边是C代码；另一个是生成的汇编代码。

正如我们在汇编代码中看到的， 的副作用A放在 的 副作用之后B，即使B是volatile合格的。但是，cppreference.com 说：

[W]在单个执行线程中，不能优化或重新排序易失性访问，并使用另一个可见的副作用，即先排序或先排序后易失性访问。

这里的副作用A是在之前排序的B，所以我认为编译器这样做是非法的。我对吗？

作为补充，博客说如果我们要保证 avolatile和non-volatiletype 之间的顺序，我们需要同时做volatile：

get()尽管字段值不是易失性的，为什么当方法被标记为同步时此代码成功完成？如果没有同步，它会在我的机器上无限期地运行（如预期的那样）。

在 avr-gcc 中使用 ATting1616 我正在尝试读取和写入 EEPROM。

ATtiny1616 使用 NVMCTRL - 非易失性存储器控制器进行字节级读/写。我正在使用 NVMCTRL 从 EEPROM 读取/写入块，但它无法正常工作。

这是一个示例来演示我正在尝试做的事情。

假设我要在 EEPROM 中保存两个不同的值，然后读回每个值。

以下是读/写函数：

如果 test_data[7] 被打印，则转换的值将是“测试”。在调试模式下查看内存时，我可以看到该值始终被写入数据 EEPROM 中的第一个内存位置。[0x1400] 在这种情况下，从内存 x1400 开始，“测试”的值开始。

在读写 EEPROM 时，我似乎无法理解一些基本的东西。任何指导将不胜感激。

我正在检查我的 NVS 存储容量。这是我做分区时的输出。

编译器版本：5.2.0 Python requirements from /home/dhananjay/esp/esp-idf/requirements.txt都满意。生成的分区表二进制文件。内容：

这表明我可以使用 16k 的 nvs 存储，但是当我通过命名空间“storage”和键“a”-“p”写入 nvs 时，每个键包含 1022 字节的数据。我得到这个输出。

我只能存储 10220 Kb 的数据，请帮忙。

我现在正在使用 IBM TPM v1332 + IBM TSS v1470，并尝试将一些重要的关键字/密码存储到 TPM 上的非易失性内存中。我找到了两种方法。一种是创建一个密封对象并用于evictcontrol存储它，例如： ${PREFIX}evictcontrol -ho $objHandle -hp 81800002 -hi p

另一种方法是直接使用 NV 命令来存储一些东西： ${PREFIX}nvdefinespace -hi o -ha 01000000 -pwdn nnn ${PREFIX}nvwrite -ha 01000000 -pwdn nnn

但是，我找不到有关 TPM 中可用的非易失性空间的任何信息。这在 TPM 规范中有描述吗？我在哪里可以找到信息？谢谢。

如下所示，该程序有一个共享 var flag，但没有volatile：

程序总是正常返回。所以我相信P1,flag设置为的行在其他线程中true更新。flag

但为什么？flag不是易变的，为什么它的值会立即更新？总是！

This code busy-waits for the variable to turn to 1. If on first pass vfoo is not set to 1, will I get stuck inside.

This code compiles without warning. What does the standard say about this?

• vfoo is declared as volatile. Therefore, read to this variable should not be optimized.
• However, bar is not volatile qualified. Is the compiler allowed to optimize the write to this bar? .i.e. the compiler would do a read access to vfoo, and is allowed to discard this value and not assign it to bar (at L.7).
• If this is a special case where the standard has something to say, can you please include the clause and interpret the standard's lawyer talk?

我正在为 TI 的 MSP430 MCU 开发裸机应用程序。该 MCU 使用非易失性存储器 FRAM。以下 SRAM 脚本运行良好：

__data_load_start 获取闪存中的加载内存地址（隐式？），并在 RAM 中保留一些空间。

现在，我想将它用于非易失性存储器。这个内存区域，在某些情况下会被重新初始化为它们的初始值，因此加载地址（LMA）和虚拟地址（VMA）会不同，如ld 文档中所述。

但是，它不起作用。查看 .map 输出文件显示加载地址已设置在任何内存部分之外：/

我想明确指定这个内存区域的初始值的位置。有人可以帮忙吗？

编辑：

我试图更新脚本没有任何隐式规则：

但在这种情况下，之后声明的每个部分都会在 VMA 和 LMA 之间获得一个偏移量。例如，下面的部分给出（.map 文件）：

但是两个地址应该相同：/

我有以下三个表：

我在这些表上编写了以下函数来显示患者的药物列表（患者 ID 是参数）：

但是，它给了我这个错误：

非易失性函数中不允许 CREATE TABLE