embedded - Cortex-M3 STM32F103 内核在闪存页擦除期间是否会因为 FPEC 繁忙且无法从闪存中获取更多指令而停止？

Question

在 STM32F103 上，闪存页面的擦除需要 20 毫秒，在此期间内核停止。从 ST PM00042 Flash 编程手册中并不清楚内核在擦除闪存页时是否总是会停止，或者它是否只是因为指令流本身在闪存中（在我的项目中）而停止，而 FPEC（闪存接口）是忙，无法获取更多指令。

问这个问题的另一种方法是“从 RAM 运行我的闪存编程代码会避免闪存页面擦除停滞吗？”。

谢谢，

Answer 1

我相信在闪存编程期间，任何尝试访问闪存都会使 CPU 停止。

因此，您要做的是确保关键代码（可能是中断处理程序、看门狗启动器等）可以在程序操作期间用完 RAM。我最后一次使用 STM32（可能是大约 2 年前）正是我所做的。

因此，为了清楚起见，回答您帖子末尾的问题：

问这个问题的另一种方法是“从 RAM 运行我的闪存编程代码会避免闪存页面擦除停滞吗？”。

我相信答案是“不”。闪存编程驱动程序的位置并不重要，重要的是您的代码在擦除/编程操作正在进行时所做的事情。如果 CPU 在操作期间尝试访问闪存，甚至是读取程序指令或读取常量表，我相信它会停止。

我知道这就是 NXP 闪存在其 ARM uC 上的工作方式，但我也想引用 STM32 的章节和诗句。由于某种原因，flash 编程手册现在似乎不可用，但我在类似的文档中找到了以下语言（我相信是 PM0068）：

只要 CPU 不访问 Flash 存储器，正在进行的 Flash 存储器操作就不会阻塞 CPU。

和

如果在编程期间启动 [对闪存] 的读/写操作，（BSY 位设置），CPU 将停止，直到正在进行的主闪存编程结束。