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我是汇编程序和 NEON 编程的新手。我的任务是使用 NEON 指令将部分算法从 C 转换为 ARM 汇编程序。该算法采用一个 int32 数组，从该数组加载不同的值，进行一些位移和异或并将结果写入另一个数组。稍后我将使用具有 64 位值的数组，但现在我只是尝试重写代码。

C Pseudo code:

out_array[index] = shiftSome( in_array[index] ) ^ shiftSome( in_array[index] );

所以这是我关于NEON指令的问题：

1.）如果我加载这样的寄存器：

vld1.32 d0, [r1]

它会从内存中仅加载 32 位还是 2x32 位来填充 64 位霓虹 D 寄存器？

2.) 如何访问 D-Register 的 2/4/8 (i32, i16, i8) 部分？

3.）我正在尝试从具有偏移量的数组中加载不同的值，但它似乎不起作用......我做错了什么......这是我的代码：（它是一个整数数组，所以我´ m 尝试加载例如 3 元素，其偏移量应为 64Bit = 8 Byte)

asm volatile(
"vld1.32 d0, [%0], #8 \n"     
"vst1.32 d0, [%1]" : : "r" (a), "r" (out): "d0", "r5");

其中“a”是数组，“out”是指向整数的指针（用于调试）。

4.）从数组中加载一个值后，我需要将其向右移动，但它似乎不起作用：

vshr.u32 d0, d0, #24     // C code:   x >> 24;

5.) 是否可以只在 Neon 寄存器中加载 1 个字节，这样我就不必移动/屏蔽某些东西来只获得我需要的一个字节？

6.) 我需要使用 Inline 汇编器，但我不确定最后一行是做什么用的：

input list : output list : what is this for?

7.) 你知道任何带有代码示例的好的 NEON 参考吗？

该程序应在三星 Galaxy S2、cortex-A9 处理器上运行，如果这有什么不同的话。谢谢您的帮助。

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这就是我发现的：

  1. 它将始终加载完整的寄存器（64 位）
  2. 您可以使用“vmov”指令将霓虹灯寄存器的一部分传输到手臂寄存器。
  3. 偏移量应该在一个臂寄存器中，并将在内存访问后添加到基地址。
  4. 它是“被破坏的注册列表”。每个使用的寄存器，既不在输入列表中，也不在输出列表中，应该写在这里。
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2 回答 2

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我可以回答你的大部分问题：（更新：澄清“车道”问题）

1) NEON 指令一次只能在内存中加载和存储整个寄存器（64 位、128 位）。有一个 MOV 指令变体，允许将单个“通道”移入或移出 ARM 寄存器。

2) 您可以使用 NEON MOV 指令来影响单通道。执行过多的单元素操作时，性能会受到影响。NEON 指令通过对向量（浮点数/整数组）执行并行操作来提高应用程序性能。

3) ARM 汇编语言中的立即数偏移量是字节，而不是元素/寄存器。NEON 指令允许使用寄存器进行后增量，而不是立即值。对于普通的 ARM 指令，您的 8 后增量将为源指针添加 8（字节）。

4) NEON 中的移位会影响向量的所有元素。使用 vshr.u32 右移 24 位会将两个 32 位无符号长整数移位 24 位并丢弃移出的位。

5) NEON 指令允许将单个元素移入和移出普通 ARM 寄存器，但不允许从内存直接加载或存储到“通道”。

6) ?

7) 从这里开始：http: //blogs.arm.com/software-enablement/161-coding-for-neon-part-1-load-and-stores/ ARM 站点有一个很好的关于 NEON 的教程。

于 2012-02-16T22:15:34.913 回答
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6) 破坏寄存器。

asm(code : output operand list : input operand list : clobber list);

如果您使用未作为操作数传递的寄存器，则需要将此通知编译器。以下代码将一个值调整为四的倍数。它使用 r3 作为临时寄存器，并通过在 clobber 列表中指定 r3 让编译器知道这一点。此外，CPU 状态标志由 ands 指令修改。将伪寄存器 cc 添加到 clobber 列表中也会让编译器了解此修改。

asm (
"ands R3, %1, #3"
"eor %0, %0, r3"
: "=r"(len)
: "0"(len)
: "cc", "r3"
);
于 2013-12-25T14:59:00.120 回答