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我在 STM32 微处理器的闪存中实现了一个仿真 EEPROM，主要基于 ST 的应用笔记（AN2594 - STM32F10x 微控制器中的 EEPROM 仿真）。

那里和相应的数据表和编程手册 (PM0075) 中的基本概述非常清楚。但是，我不确定断电/系统复位对闪存编程和页面擦除操作的影响。AppNote 也考虑了这种情况，但没有说明当编程（写入）操作被中断时究竟会发生什么：

  1. 地址是否具有任意（随机）值？或者
  2. 是否只写入了部分位？或者
  3. 它有默认的擦除值0xFF吗？

感谢您提供相关文档的提示或指针。

阿恩

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这不是一个真正的软件问题（更不用说 C++）。它属于electronics.se，但似乎没有将问题迁移到那里的选项……只能迁移到诸如超级用户或webmasters.se之类的站点。

简短的回答是硬件本质上是不可靠的。理论上总是会出错，中断写入过程或导致写入错误的位。

长答案是，闪存电路通常是为最大可靠性而设计的。写入时突然断电可能不会导致损坏，因为驱动电路可能有足够的电容或在低电压条件下运行足够长的时间以完成必要的电荷耗尽。擦除时的功率损失可能更棘手。您确实需要咨询制造商。

对于没有电源中断的“软”系统重置，如果硬件并不总是完全擦除它正在立即处理的任何字节，那将是非常令人惊讶的。通常字节按预定义的顺序擦除，因此您可以使用第一个或最后一个字节来指示页面是满的还是空的。

于 2012-01-23T04:22:40.760 回答
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#include "stm32f10x.h"
#define FLASH_KEY1      ((uint32_t)0x45670123)
#define FLASH_KEY2      ((uint32_t)0xCDEF89AB)
#define Page_127        0x0801FC00
uint16_t i;
int main()
{
  //FLASH_Unlock
  FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
  FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;
  //FLASH_Erase Page
  while((FLASH->SR&FLASH_SR_BSY));
  FLASH->CR |= FLASH_CR_PER; //Page Erase Set
  FLASH->AR = Page_127; //Page Address
  FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT; //Start Page Erase
  while((FLASH->SR&FLASH_SR_BSY));
  FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PER; //Page Erase Clear
  //FLASH_Program HalfWord
  FLASH->CR |= FLASH_CR_PG;
  for(i=0; i<1024; i+=2)
  {
    while((FLASH->SR&FLASH_SR_BSY));
    *(__IO uint16_t*)(Page_127 + i) = i;
  }
  FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PG;
  FLASH->CR |= FLASH_CR_LOCK;
  while(1);
}
于 2016-03-13T11:36:20.010 回答
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如果您使用的是 EEProm Emulation 驱动程序，则不必太担心闪存损坏问题，因为 EEProm 仿真驱动程序总是将卷影副本保存在另一个页面中。最糟糕的是，您将丢失正在写入闪存的最新值。如果您仔细查看仿真驱动程序，您会注意到它本质上只是标准外设库中 stm32fxx_flash.c 的包装器。如果您查看应用笔记，您将看到仿真库用于闪存操作的时间。擦除页面通常需要最长的时间（在 M0 内核上为数十毫秒 - 这取决于时钟频率）。

于 2015-05-14T22:10:10.067 回答
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如果您使用的是EEProm Emulation 驱动程序，您最好添加一个功能，例如写入完成后检查数据。例如，如果您有 10 个数据要保存，那么您需要将 11 个字节写入闪存。最后一个字节是校验和。并检查从闪存读取后的数据。

于 2015-12-14T05:19:59.757 回答