考虑图 4.37 中的二极管。将面密度为 QA 的受主片放置在 GaAs 的本征区域中，使其与一个 n+ 区域的距离为 L1，与另一个 n+ 区域的距离为 L2。
(a) 根据 QA、L1、L2、ND 和 GaAs 的其他材料参数计算整个结构的电势表达式。
我很困惑，既然没有相反的载体，这怎么可能形成潜力？
考虑图 4.37 中的二极管。将面密度为 QA 的受主片放置在 GaAs 的本征区域中，使其与一个 n+ 区域的距离为 L1，与另一个 n+ 区域的距离为 L2。
(a) 根据 QA、L1、L2、ND 和 GaAs 的其他材料参数计算整个结构的电势表达式。
我很困惑，既然没有相反的载体，这怎么可能形成潜力？