所以我对 FDTD 建模还很陌生，我无法解释我从 MEEP 收到的 LDOS 输出。为了简化问题，我从 Bloch 波表面等离子体激元 (BW-SPP) 配置中的简单银光栅开始：
supers = mp.Block(mp.Vector3(sub+sep,mp.inf,mp.inf), center=mp.Vector3(-0.5*sx+0.5*(sub+sep),0,0), material=diel1) grating = mp.Block(mp.Vector3(grating_t, grating_w,mp.inf), center=mp.Vector3(-0.5*sx+sub-0.5*grating_t,0,0), material=Ag) metal = mp.Block(mp.Vector3(mthick,mp.inf,mp.inf), center=mp.Vector3(-0.5*sx+sub+sep+0.5*mthick,0,0), material=Ag) geometry=[supers,grating,metal]
然后我添加了我的高斯源：
f_cen = 1/0.570 # source frequency center df = 0.03*f_cen # source frequency width pt = mp.Vector3(-0.5*sx+dpml+sub+sep+mthick+0.010,-0.25*sy,0) sources = [mp.Source(mp.GaussianSource(f_cen, fwidth=df),component=mp.Hz,center=pt)]
并在 1000 到 10000 之间运行了不同时间的模拟：
sim.run(mp.dft_ldos(f_cen,df,100), until_after_sources=3000)
我期望看到的是一条曲线，其峰值 LDOS 以 570nm 波长为中心，导致表面等离子体的激发，如下图所示 Ex 和 Ey 组件的 增强场：给定结构周围的 Ex 和 Ey 组件的增强场。
相反，我得到了下面的图： 上面给出的特定位置的标准化 LDOS LDOS 的原始值也在 0.58 左右，频率之间的差异最小。此外，我设置的高斯源宽度越大，我获得的模式相同。即没有“高峰”。这不是我期望从基板表面看到 10nm 的情况，如果我改变偶极子源的 y 位置（将其移动穿过基板），它确实会改变，但也会导致“nan”超过我想要的位置预计最激烈的地方是。我尝试运行相同的代码，分辨率从 50-200 像素/um 不等，但结果仍然相似。我承认我可能对如何在 MEEP 中使用 LDOS 没有完全了解，但我希望在这里能找到一些清晰的信息。
谢谢