我有两个应用程序,一个刚刚在地址 0x20000 上启动第二个应用程序,我可以在第一个应用程序中调试,它到达将重定向到0x20000
该地址的行。
第一个应用程序的代码如下所示:
uint32_t a_StartAddress = (uint32_t)(uint32_t *)0x20000;
((void (*)(void))a_StartAddress)();
这两个应用程序都是在 CCS 中为 TMS570LS033x 开发的,但是当应用程序启动时0x20000
什么也没有发生。我是否缺少让代码从不同地址开始的设置,然后是 0?我很高兴提出建议,在此先感谢
(两个程序的闪存都有足够的空间,如果我在地址上闪存它,应用程序就会运行0x00000
)。
反汇编代码
280 uint32_t a_StartAddress = (uint32_t)(uint32_t *)0x20000;
00005618: E3A0C802 mov r12, #0x20000
0000561c: E58DC010 str r12, [sp, #0x10]
281 ((void (*)(void))a_StartAddress)();
00005620: E59DC010 ldr r12, [sp, #0x10]
00005624: E12FFF3C blx r12
sys_link.cmd
MEMORY
{
VECTORS (X) : origin=0x00000000 length=0x00000020 vfill = 0xFFFFFFFF
FLASH0 (RWX) : origin=0x00000020 length=0x0001FFE0 fill = 0xFFFFFFFF
STACKS (RW) : origin=0x08000000 length=0x00001500
SRAM (RWX) : origin=0x08001500 length=0x00006B00
}
SECTIONS
{
.intvecs : {} > VECTORS
.TI.ramfunc : {} load=FLASH0, run=SRAM, table(BINIT)
.text : {} palign=8 > FLASH0
.const : {} palign=8 > FLASH0
.cinit : {} palign=8 > FLASH0
.pinit : {} palign=8 > FLASH0
.data : {} > SRAM
.bss : {} > SRAM
.sysmem : {} > SRAM
.binit : {} > FLASH0
}