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我想从我的用户代码写入 STM32F407VGT 的闪存扇区 11 以存储一些数据。我用过stm32f4xx_hal_flash.c图书馆。我首先使用以下代码擦除扇区：

void Flash_Init(void)
{        
    FLASH_EraseInitTypeDef pEraseInit;

    pEraseInit.Banks = FLASH_BANK_1;
    pEraseInit.NbSectors = 1;
    pEraseInit.Sector = FLASH_SECTOR_10;
    pEraseInit.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;
    pEraseInit.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;

    if(HAL_FLASH_Unlock() == HAL_OK)
    {
        __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGSERR );
        HAL_FLASHEx_Erase(&pEraseInit,0);
        HAL_FLASH_Lock();
    }
}

程序在到达HAL_FLASHEx_Erase(&pEraseInit,0);函数时挂起。我的分散文件如下所示：

LR_IROM1 0x08000000 0x01000000  {    ; load region size_region
  ER_IROM1 0x08000000 0x01000000  {  ; load address = execution address
   *.o (RESET, +First)
   *(InRoot$$Sections)
   .ANY (+RO)
  }
  RW_IRAM1 0x20000000 0x00020000  {  ; RW data
   .ANY (+RW +ZI)
  }
  RW_IRAM2 0x10000000 0x00010000  {
   .ANY (+RW +ZI)
  }
}

我必须先做些什么才能让这个功能起作用吗？

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您想写入扇区 11，但您的 pEraseInit.Sector 变量在您的 init 函数中是 FLASH_SECTOR_10 。所以你应该把 FLASH_SECTOR_10 改成 FLASH_SECTOR_11。此外，如果您使用 CubeMX，您可以尝试在没有 init 功能的情况下执行写入和读取功能。

uint32_t flash_read(uint32_t address){
    return *(uint32_t*)address;
}

void flash_write(uint32_t address, uint32_t data){
    HAL_FLASH_Unlock();
    FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_11,VOLTAGE_RANGE_1);
    HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,address,data);
    HAL_FLASH_Lock();
}

你可以从这里看到 flash memoty map

于 2019-01-22T12:53:32.997 回答