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我正在开发固件更新程序，以便系统中的主控制器可以对其他 STM32 芯片进行编程。如应用笔记AN2606和AN3155中所写，我正在使用 115200 bps 的 UART 和 8E1 。目前我正在尝试刷新 STM32F429。我可以毫无问题地读取闪存。

为了测试写入功能，我将 8 个字节写入地址，这些地址是AN3155中建议的 4 的倍数。我用逻辑分析仪检查了数据线，一切都正确发送，STM 对所有内容都响应 ACK。

当我尝试回读它时，我会在这些位置获得随机值。写入相同的基地址时，这些值始终相同，但在其他地方写入时它们会发生变化。

我已将电压范围配置寄存器（AN2606第 30 页）设置为 0x03，因为我的电源是 3.3V。这个寄存器的解释很混乱，所以我什至不确定这个设置是否正确，我找不到其他可能出错的地方。

更新：

我试图写入所有 4 字节对齐的地址，然后将其读回以进行比较。我用各种数据大小做到了这一点。所有写入对扇区的基地址都不正确。失败的地址具有以下模式：

Bytes   Incorrect write addresses
  4     0, 10, 20, 30, ...
  8     0, 0C, 1C, 2C, 3C, ...
 12     0, 08, 18, 28, 38, ...
 16     0, 04, 14, 24, 34, ...
 32     0  04, 14, 24, 34, ...
 64     0, 04, 08, 0C, 14, 18, 1C, 24, ...
128     all 
256     all

解决方案：

嗬！闪存擦除存在我没有注意到的问题。

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原始的 STM 引导加载程序在实际开发中并不好，因为它没有提供两个基本功能。

  • 它不提供任何解密，任何人都可以窃取您的固件（因此保护设备没有任何意义，因为您必须发布“普通”未加密的二进制图像）

  • 它不检查闪存中应用程序的完整性

  • 它不适用于受保护的设备

最简单的方法是编写自己的引导加载程序并实现所有这些功能。

于 2018-10-25T15:33:17.950 回答