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在下面的程序中，这行代码是什么意思

fnRAM_code((volatile unsigned char *)FLASH_STATUS_REGISTER); // execute the command from SRAM

在下面的代码部分。我对这里发生的事情有一些想法，为了克服读写冲突，使用上面的代码行将代码从闪存复制到 RAM。但是这些行的确切含义是什么。

static int fnProgram(unsigned long *ptrWord, unsigned long *ptr_ulWord)
{
    while ((FTFL_FSTAT & FTFL_STAT_CCIF) == 0) {}                // wait for previous commands to complete

    if ((FTFL_FSTAT & (FTFL_STAT_ACCERR | FTFL_STAT_FPVIOL | FTFL_STAT_RDCOLERR)) != 0) { // check for errors in previous command 
        FTFL_FSTAT = (FTFL_STAT_ACCERR | FTFL_STAT_FPVIOL | FTFL_STAT_RDCOLERR); // clear old errors
    }

    FTFL_FCCOB0 = FCMD_PROGRAM;                                  // enter the command sequence
    FTFL_FCCOB1 = (unsigned char)(((CAST_POINTER_ARITHMETIC)ptrWord) >> 16); // set address in flash
    FTFL_FCCOB2 = (unsigned char)(((CAST_POINTER_ARITHMETIC)ptrWord) >> 8);
    FTFL_FCCOB3 = (unsigned char)((CAST_POINTER_ARITHMETIC)ptrWord);
    FTFL_FCCOB7_4 = *ptr_ulWord++;                               // enter the long word to be programmed
    FTFL_FCCOBB_8 = *ptr_ulWord;                                 // enter the second long word to be programmed
    uDisable_Interrupt();                                        // protect this region from interrupts
        fnRAM_code((volatile unsigned char *)FLASH_STATUS_REGISTER); // execute the command from SRAM
    uEnable_Interrupt();                                         // safe to accept interrupts again
    return (FTFL_FSTAT & (FTFL_STAT_ACCERR | FTFL_STAT_FPVIOL | FTFL_STAT_MGSTAT0)); // if there was an error this will be non-zero
}

需要在 RAM 中的唯一代码是：

static void fnFlashRoutineInRam(volatile unsigned char *ptrFTFL_BLOCK)
{
    *ptrFTFL_BLOCK = FTFL_STAT_CCIF;                                     // launch the command - this clears the FTFL_STAT_CCIF flag (register is FTFL_FSTAT)
    while ((*ptrFTFL_BLOCK & FTFL_STAT_CCIF) == 0) {}                    // wait for the command to terminate
}
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这看起来像旧的 NXP（前飞思卡尔/摩托罗拉）HCS08、HCS12 或 Coldfire。在这些设备上，您在编写闪存驱动程序时有不同的情况：您可以从闪存执行它，或者您不能。这完全取决于程序闪存属于哪个“存储库”：通常，您无法在 MCU 上执行与当前正在编程的闪存存储库相同的代码。

因此，理想情况下，您将闪存编程代码放在另一个存储区中，但有些设备只有一个闪存存储区。然后他们通过从 RAM 中执行代码来提供解决方法，这是一种快速而肮脏的修复。

通常，他们通过提供一组原始数据操作码来解决这个问题。这个操作码数组被复制到 RAM 中，然后他们设置一个函数指针指向 RAM 地址。我怀疑fnRAM_code是这样一个函数指针。该(volatile unsigned char *)FLASH_STATUS_REGISTER部分只是传递闪存状态寄存器的地址。FLASH_STATUS_REGISTER 可能与 FSTAT 同义。

和应该分别对应于uDisable_Interrupt();和，阻止所有可屏蔽中断在闪存写入期间触发，这可能会导致写入失败或程序挂起。uEnable_Interrupt();asm SEIasm CLI

应该有可用的应用说明来详细描述所有这些。

请注意，此代码非常接近硬件，并且依赖于大量定义不明确的行为。除了 Codewarrior 编译器之外，我不会指望它按预期编译。例如，gcc 会吐出许多严格的别名错误。

于 2018-06-11T11:01:57.183 回答