我正在使用基于 Xilinx Zynq 7000 ARM 的 SoC。我正在为 DMA 缓冲区苦苦挣扎(需要帮助在 Xilinx/ARM SoC (Zynq 7000) 上映射预先保留的 **cacheable** DMA 缓冲区),所以我追求的一件事是更快的 memcpy。
我一直在考虑使用 Neon 指令和内联 asm 为 ARM 编写更快的 memcpy。无论 glibc 有什么,它都很糟糕,尤其是当我们从一个未缓存的 DMA 缓冲区复制时。
我从各种来源整合了我自己的复制功能,包括:
- 快速 ARM NEON memcpy
- gcc中的arm内联汇编
- http://infocenter.arm.com/help/index.jsp?topic=/com.arm.doc.faqs/ka13544.html
对我来说主要的区别是我试图从一个未缓存的缓冲区复制,因为它是一个 DMA 缓冲区,而 ARM 对缓存的 DMA 缓冲区的支持是不存在的。
所以这就是我写的:
void my_copy(volatile unsigned char *dst, volatile unsigned char *src, int sz)
{
if (sz & 63) {
sz = (sz & -64) + 64;
}
asm volatile (
"NEONCopyPLD: \n"
" VLDM %[src]!,{d0-d7} \n"
" VSTM %[dst]!,{d0-d7} \n"
" SUBS %[sz],%[sz],#0x40 \n"
" BGT NEONCopyPLD \n"
: [dst]"+r"(dst), [src]"+r"(src), [sz]"+r"(sz) : : "d0", "d1", "d2", "d3", "d4", "d5", "d6", "d7", "cc", "memory");
}
我做的主要事情是省略了预取指令,因为我认为它在未缓存的内存上毫无价值。
这样做导致 glibc memcpy 的速度提高了 4.7 倍。速度从大约 70MB/秒到大约 330MB/秒。
不幸的是,这并不像缓存内存中的 memcpy 那样快,系统 memcpy 的运行速度约为 720MB/秒,Neon 版本的运行速度约为 620MB/秒(可能更慢,因为我的 memcpy 可能不进行预取)。
谁能帮我弄清楚我能做些什么来弥补这个性能差距?
我尝试了很多事情,比如一次复制更多,两次加载,然后是两次存储。我可以尝试预取只是为了证明它没用。还有其他想法吗?