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我正在尝试将一些数据保存到我的STM32F407板上的闪存中。在我保存它们之前，我需要擦除内存扇区。我选择了从地址 0x08004000 开始的16 KB Sector1并选择了Voltage range 2.1-2.7 V。我正在使用 HAL 库。

FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT后程序停止响应；HAL_FLASHEx_Erase() -> FLASH_Erase_Sector() 函数内的行。

我很确定这是我的错，但我无法找出问题所在。

HAL_FLASH_Unlock();
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR |
                           FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR | FLASH_FLAG_PGSERR);
FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
EraseInitStruct.Sector = FLASH_SECTOR_1;
EraseInitStruct.TypeErase = TYPEERASE_SECTORS;
EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_2;
EraseInitStruct.NbSectors = 1;
uint32_t SectorError = 0;
if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &SectorError) != HAL_OK) {     
    HAL_FLASH_Lock();
    return;
}

uint16_t data = 300;
//----------------------------write data
if (HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, start_address, data) != HAL_OK) {
    HAL_FLASH_Lock();
    return;
}
HAL_FLASH_Lock();

我是否选择了错误的电压范围或扇区数？

感谢您的回答。

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如果您的程序大于 16k，那么您只是设法从闪存中擦除了其中的一部分。您应该从闪存末尾选择一个扇区（但擦除时间会更长），或者在链接器配置中重新排列这些部分。

于 2015-11-16T05:52:43.443 回答
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我找到了解决方案。我使用 HAL_FLASH_Lock() 函数而不是 HAL_FLASHEx_Erase() 函数，它工作正常。我还更改了 SECTOR，因为我不小心删除了我的程序。

unit32_t address = 0x0800C000;
HAL_FLASH_Unlock();
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR | FLASH_FLAG_PGSERR);

FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_3, VOLTAGE_RANGE_3);

//----------------------------write data  
uint8_t data = 'A';
if (HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_BYTE, address, data) != HAL_OK) {
    HAL_FLASH_Lock();
    return;
}
HAL_FLASH_Lock();

谢谢你的帮助。

于 2015-11-16T20:08:26.747 回答