目前，我正在将 Win CE6 设备适配到新的 nand flash 芯片上。新的nand对ecc要求更高（4位/512字节），支持片上ecc计算。
Microsoft 闪存文件系统写入扇区而不擦除它们。在 SectorInfo->wReserved2 中写入状态信息时会发生这种情况。在这里，只有单个位被翻转为零。
问题是，对于片上 ecc，当文件系统写入 wReserved2 时，芯片也会计算 ecc。但它无法将此 ECC 正确写入设备，因为这需要擦除扇区，而文件系统不会这样做。
页的备用部分也有ecc-unprotected区，每页15个字节。我想出将重要的 6 个字节的 SectorInfo 存储两次（即 wReserved2 用于扇区状态，dwReserved1 是逻辑扇区号）。
但是当这两个副本中的一个发生位错误时，我仍然无法确定哪个是正确的。
所以，我的问题：
关于如何使用未受保护的 15 个字节解决此问题的任何想法？
闪存文件系统是否可以配置为支持“写状态信息前擦除”
任何其他方法来解决这个问题？
提前感谢您的帮助。
问候，蒂姆。