c - 串行闪存仿真作为 EEPROM

Question

我正在现有板上开发一个应用程序。该应用程序需要频繁的数据（仅 10 字节）存储，所以我想将外部闪存仿真作为 EEPROM，因为我的板没有 EEPROM。我们有外部 spi 闪存。任何人都可以在此仿真中帮助我，或者请向我建议任何其他方法来完全满足我的应用程序要求。

Answer 1

有许多库可以做你想做的事。几年前，我使用了他们为并行闪存芯片提供的英特尔库。

他们使用的技术是使用额外的字节来指定闪存中的哪个值是有效的，以及它占用多少字节。例如，第一次写入值时，有效标志为高。当重新写入再见时，旧数据上的有效标志设置为低，新值和标志/字节计数数据在旧值之后立即写入闪存。读取值时，从第一个位置开始，如果有效标志为低，则使用计数移动到存储新值的位置，依此类推，直到找到有效标志为高的值。

当以这种方式使用整个扇区时，您需要读取当前值，擦除该扇区，并在开始时重新写入当前值。

这种技术之所以有效，是因为闪存位可以从高电平变为低电平，但在不擦除的情况下不能从低电平变为高电平。

这个解释有点简化，我相信网络上的某个地方会有教程。