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我正在尝试在已写入的闪存之上编写一个已知模式（即 0xFFFFFFFF 或 0x00000000），以使原始文件系统的部分无效。但它在 STM32L 系列上对我不起作用，就像在 STM32F 系列上一样。

我习惯了 STM32F 系列微控制器，其中闪存被擦除为 0xFFFFFFFF 并用 0 写入。你可以写任何你想擦除记忆的东西，即

 write 0x00001234 on top of 0xFFFFFFFF -> 0x00001234

你可以在任何东西上写 0x00000000 （全零）

 write 0x00000000 on top of 0x00001234 -> 0x0000000

我现在用的是STM32L家族（低功耗），闪存完全不一样。它被擦除为 0x00000000，并用 1 写入。但是，我不知道如何可靠地编写所有的。例如，如果我擦除，我可以这样做

 write 0x01020304 on top of 0x00000000 -> 0x01020304

但如果我尝试

 write 0xFFFFFFFF on top of 0x01020304 -> 0xFFFFFFBF !!!

请注意，最终答案中有一个B。这不是全部。事实上，如果我将字节 0x00 到 0xFF 写入一个新擦除的内存页，然后在整个内存页上写入 0xFFFFFFFFFF，我会得到非常错误的结果：

ff ff ff bf ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff fb
f7 ff ff ff fd ff ff ff ff ff ff f7 ff ff ff ff
fe ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff 7f f7 ff ff ff
ff ff ff fb ff ff ff ef ff ff ff ff ff ff ff df
fe ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff 7f f7 ff ff ff
ff ff ff fb ff ff ff ef ff ff ff ff ff ff ff ff
ff ff ff bf ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff fb
f7 ff ff ff fd ff ff ff ff ff ff f7 ff ff ff df
f7 ff ff ff fd ff ff ff ff ff ff f7 fe ff ff ff
ff ff ff bf ff ff ff ff ff ff ff ff fd ff ff ff
ff ff ff fb ff ff ff ef ff ff ff ff ff ff ff bf
fe ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff 7f fb ff ff ff
ff ff ff fb ff ff ff ef ff ff ff ff ff ff ff bf
fe ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff 7f ff ff ff ef
f7 ff ff ff fd ff ff ff ff ff ff f7 fe ff ff ff
ff ff ff bf ff ff ff ff ff ff ff ff fb ff ff ff

这是我正在使用的伪代码（FlashWrite 是 STM std periph 库的包装器）。我尝试编写 8 次写入的模式，每次移位 <<1，这实际上给了我想要的（全部），但我不确定这是否可靠。

 uint32_t pattern = 0x04030201;
 FlashErasePage(0x0801E000,FLASH_PASSWORD);
 for(int j=0;j<64;j++) {
    FlashWriteArray(0x0801E000 + 4*j,(uint8_t*)&pattern,4);
    pattern += 0x04040404;
 }

 for(int j=0;j<64;j++) {
#if 1
     // write once
     uint32_t pattern = 0xFFFFFFFF;
     FlashWriteArray(0x0801E000 + 4*j,(uint8_t*)&pattern,4);
#else
     // write shifting bit pattern
     uint32_t pattern = 0x01010101;
     for(int i=0;i<8;i++) {
        FlashWriteArray(0x0801E000 + 4*j,(uint8_t*)&pattern,4);
        pattern <<=1;
     }
#endif
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