在 ATmega 8 位处理器(特别是 ATmega128)中对闪存的引导加载程序部分进行编程时,AVRdude 相当慢。
我只想写内存的引导加载程序部分,它位于闪存的高位地址中。因此,AVRdude 想要写入整个闪存(128K),而不是仅仅跳转到内存的引导加载程序部分并只写入引导加载程序(比如 3K)。
有什么方法可以加快编程过程(即跳转到内存中的那个偏移量并只写那个部分),还是我陷入了一个缓慢的编程过程?
编辑:我相信我使用的程序员导致了这个问题。当我使用不同的(更好的)程序员时,avrdude 只是跳转到闪存中的偏移量来编写引导加载程序。