memory - 速度比较eeprom-flash-sram

Question

目前为 atmel tiny45 微控制器编码，我使用了几个查找表。存放它们的最佳地点在哪里？您能否大致了解一下 sram-flash-eeprom 之间的内存速度差异？

Answer 1

EEPROM 是迄今为止最慢的替代方案，写入访问时间在 10 毫秒左右。读取访问与 FLASH 访问一样快，加上地址设置和触发的开销。因为 EEPROM 的地址寄存器没有自动递增，所以每个字节读取至少需要 4 条指令。

SRAM 访问是最快的（直接寄存器访问除外）。

FLASH 比 SRAM 慢一点，并且在每种情况下都需要间接寻址（Z 指针），SRAM 访问可能需要也可能不需要，具体取决于表的结构和访问模式。

有关指令的执行时间，请参阅AVR 指令集，尤其是LPM与LDS、LD和LDD指令的对比。