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我正在为我的嵌入式应用程序使用串行 NOR 闪存（基于 SPI），而且我必须在它上面实现一个文件系统。这使得我的 NOR 闪存更容易出现频繁的擦除和写入周期，其中出现磨损级别算法。我想问几个关于相同的问题：

首先，是否有可能为 Nor flash 实施磨损级别算法，如果是，那么为什么大多数时候我找到了 NAND Flash 而不是 NOR Flash 的解决方案？

其次，是否提供基于串行 SPI 的低成本 NAND 闪存，如果是，请分享相同的部件号。

第三，实现我们自己的 Wear Level 算法有多难？

第四，我也读过/听说工业级 NOR 闪存具有更高的擦除/写入周期（以百万计！！），这种理解是否正确？如果是，请让我知道这种 SPI NOR Flash 的详细信息，这也可能导致避免执行磨损级别算法，如果不是完全的话，因为我打算实现自己的磨损级别算法，它可能会给我一点在某些领域实现磨损级别算法的空间和便利性。

所有这些问题的制约因素是成本，我希望有低成本的解决方案来解决这些问题。

提前致谢

问候

阿迪亚米塔尔

(mittal.aditya12@gmail.com)

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实现磨损均衡算法并非易事，但也并非不可能：

  1. 您的磨损均衡驱动程序需要知道文件系统何时不再使用磁盘块（这在现代 SSD 上被称为TRIM支持）。实际上，这意味着您需要修改块驱动程序 API 和它上面的文件系统，或者让磨损均衡驱动程序知道文件系统的空闲空间映射。对于 FAT，第二个选项很容易，但可能已获得专利。

  2. 您需要至少保留一个擦除单元 + 一些分配单元以允许擦除单元回收。保留更多块将提高性能

  3. 您需要一个后台线程来执行异步擦除单元回收

  4. 你需要测试，再测试一次。当我最后一次构建其中一个时，我们构建了一个 flash 的模拟，并在其上运行了真正的文件系统，并将系统折磨了数周。

  5. 有很多专利涉及磨损均衡方面。同样的道理，Linux 内核中至少有两个磨损均衡层。

鉴于所有这些，许可第三方库可能具有成本效益，

于 2013-01-17T10:05:36.327 回答
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Atmel/Adesto 等公司制造了数十亿个小型串行闪存芯片。他们也有大量的在线文档。我怀疑串行闪存甲虫由于成本原因没有实现磨损均衡——它们通常使用的设备非常便宜，而且往往寿命有限。预计会使用更重和更长时间的大容量 4 线 NAND 闪存（例如 SD 卡）具有复杂的（相对）内置控制器，可以以透明的方式实现磨损均衡。

我不再使用单针接口串行闪存，部分原因是磨损问题。SD 卡对我来说足够便宜，即使它坏了，现场技术人员（甚至客户）也可以轻松地将其换掉。

实现磨损均衡算法。就开发时间而言（尤其是测试设备是否必须支持在电源故障等时不能损坏的文件系统）和 CPU/RAM 都太贵了。

如果您的产品对成本非常敏感，以至于您必须使用串行 NOR 闪存，我建议您忽略这个问题。

于 2013-01-17T09:41:28.600 回答