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我正在研究带有 NAND 闪存的 i.MX35 Freescale 板。我正在尝试从内核升级 u-boot。我在网上搜索，但在那里我没有得到太多细节

这有可能做到这一点，我该怎么做？有人可以提供必要的命令和程序来做到这一点吗？

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如果不了解更多关于内核配置的信息，就很难就此提供建议。

由于您似乎正在从 NAND 引导系统，因此我假设您的内核是使用 mtd 支持构建的——尽管系统完全有可能从 NAND 引导 u-boot，然后从其他地方引导内核和根文件系统。

我的经验是使用带有 Micron NAND 闪存的 OMAP2 板，但一般步骤应该是相同的。除了尝试之外，似乎没有特别好的文档来源。

1：运气好的话，你的 NAND 被分区并且 mtd 子系统编译到你的内核子系统中，它在 NAND 上找到了分区（大小在内核引导行中指定，或者可能在你的板文件中以编程方式指定）。

在启动时的控制台上，您可能会看到如下内容：[警告：某些日志记录可能被禁用]

[    1.670471] Creating 5 MTD partitions on "omap2-nand.0":
[    1.676086] 0x000000000000-0x000000020000 : "xload"
[    1.684814] 0x000000020000-0x0000000a0000 : "barebox"
[    1.692626] 0x0000000a0000-0x0000000c0000 : "bareboxenv"
[    1.700622] 0x0000000c0000-0x0000004c0000 : "kernel"
[    1.709899] 0x0000004c0000-0x000040000000 : "root"

请注意，我在这里使用的是 OMAP2 系统，使用 Barebox 而不是 u-boot，但同样适用。这里我们有主加载程序分区xload、主引导加载程序barebox、barebox ( ) 的非易失性存储bareboxenv、内核和根文件系统。

2：如果是这样，你会发现这些分区中的每一个都有一个dev文件/dev

root@fk-00A0DE4648fe:~# ls /dev/
block               mtd4                tty11               tty49
bus                 mtd4ro              tty12               tty52
char                mtdblock0           tty13               tty50
console             mtdblock1           tty14               tty51
core                mtdblock2           tty15               tty520
cpu_dma_latency     mtdblock3           tty16               tty53trl
disk                mtdblock4           tty17               tty54om

这些mtdblock文件是原始块设备，对应于步骤 1 中的分区

3：您可以使用mtdinfo -a更多信息：

....
Name:                           barebox
Type:                           nand
Eraseblock size:                131072 bytes, 128.0 KiB
Amount of eraseblocks:          4 (524288 bytes, 512.0 KiB)
Minimum input/output unit size: 2048 bytes
Sub-page size:                  2048 bytes
OOB size:                       64 bytes
Character device major/minor:   90:2
Bad blocks are allowed:         true
Device is writable:             true
....

4：您可以擦除一个分区（例如block1）：

mtd_debug erase /dev/mtdblock1 0x0 0x8000

这两个地址是从块开始的偏移量和要擦除的长度

5：复制你的图像到新擦除的闪存

cp <uboot_image> /dev/mtdblock1

这似乎对我有用，尽管大多数 NAND 闪存具有非常特定的编程大小——尽管这些可能是块的倍数，这可能令人惊讶。

mtd_debug还提供了read和write动词——它们完全符合你的想象。我在这些方面的成功不如在cp

显然，在尝试此操作之前，您需要一个方便的替代引导安排（可能是 MMC 卡）并经过验证可以正常工作，因为如果闪存编程不起作用，您的系统很可能在之后无法启动。

对我来说出错并证明是痛苦的事情是用于分区的不同 ECC 算法。闪存的前几个擦除单元通常保证更健壮，并且将使用 SoC 中掩码 PROM 中最小初始加载程序支持的任何 ECC。这很可能不是您在设备的其余部分上使用的——当然不是我正在使用的美光部件。

这将意味着引导加载程序和内核在不进行一些修改的情况下可能无法读取和写入彼此的分区。

于 2012-08-31T15:04:40.487 回答